考夫曼射頻離子源 RFICP 140閱讀數: 5738
青海十一选五昨天开奖结果查询 www.thliqx.com.cn KRI 考夫曼離子源 RFICP 140
上海伯東代理美國原裝進口 KRI 考夫曼型離子源 RFICP 140 是一款緊湊的有柵極離子源，非常適用于離子束濺射沉積, 離子輔助沉積和離子束刻蝕. 在離子束濺射工藝中，離子源 RFICP 140 配有離子光學元件, 可以很好的控制離子束去濺射靶材, 實現完美的薄膜特性. 同樣的在離子束輔助沉積和離子束刻蝕工藝中, 最佳的離子光學元件能夠完成發散和聚集離子束的任務. 就標準的型號而言, 可以在離子能量為 100~1000 eV 范圍內獲得很高的離子密度.
KRI 考夫曼離子源 RFICP 140 技術參數：
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型號 |
RFICP 140 / RFICP 140L |
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供電 |
RF 射頻感應耦合 |
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- 陰極燈絲 |
- |
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- 射頻功率 |
1 KW |
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電子束 |
OptiBeam™ |
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- 柵極 |
專用 |
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-柵極直徑 |
14 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
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電源控制 |
RFICP 1510-2-10-LFNA |
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配置 |
- |
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- 陰極中和器 |
LFN2000 or MHC1000 or RFN |
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- 安裝 |
移動或快速法蘭 |
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- 高度 |
9.8' |
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- 直徑 |
9.8' |
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- 離子束 |
聚焦 |
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-加工材料 |
金屬 |
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-工藝氣體 |
惰性 |
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-安裝距離 |
8-36” |
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- 自動控制 |
控制4種氣體 |
KRI 考夫曼離子源 RFICP 140 應用領域：
預清洗
表面改性
輔助鍍膜(光學鍍膜)IBAD,
濺鍍和蒸發鍍膜 PC
離子濺射沉積和多層結構 IBSD
離子蝕刻 IBE