考夫曼射頻離子源 RFICP 140閱讀數: 5738

青海十一选五昨天开奖结果查询 www.thliqx.com.cn KRI 考夫曼離子源 RFICP 140
上海伯東代理美國原裝進口 KRI 考夫曼型離子源 RFICP 140 是一款緊湊的有柵極離子源,非常適用于離子束濺射沉積, 離子輔助沉積和離子束刻蝕. 在離子束濺射工藝中,離子源 RFICP 140 配有離子光學元件, 可以很好的控制離子束去濺射靶材, 實現完美的薄膜特性. 同樣的在離子束輔助沉積和離子束刻蝕工藝中, 最佳的離子光學元件能夠完成發散和聚集離子束的任務. 就標準的型號而言, 可以在離子能量為 100~1000 eV 范圍內獲得很高的離子密度.
KRI 考夫曼離子源 RFICP 140 技術參數:
型號 |
RFICP 140 / RFICP 140L |
供電 |
RF 射頻感應耦合 |
- 陰極燈絲 |
- |
- 射頻功率 |
1 KW |
電子束 |
OptiBeam™ |
- 柵極 |
專用 |
-柵極直徑 |
14 cm |
中和器 |
LFN 2000 |
電源控制 |
RFICP 1510-2-10-LFNA |
配置 |
- |
- 陰極中和器 |
LFN2000 or MHC1000 or RFN |
- 安裝 |
移動或快速法蘭 |
- 高度 |
9.8' |
- 直徑 |
9.8' |
- 離子束 |
聚焦 |
-加工材料 |
金屬 |
-工藝氣體 |
惰性 |
-安裝距離 |
8-36” |
- 自動控制 |
控制4種氣體 |
KRI 考夫曼離子源 RFICP 140 應用領域:
預清洗
表面改性
輔助鍍膜(光學鍍膜)IBAD,
濺鍍和蒸發鍍膜 PC
離子濺射沉積和多層結構 IBSD
離子蝕刻 IBE